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DKDG3系列单项进线电抗器

加正向电压时,可以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻,我们称导通;加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻,我们称截止。这就是的DKDG3系列单项进线。
DKDG3系列单项进线电抗器详细说明:

加正向电压时,可以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻,我们称导通;加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻,我们称截止。这就是的DKDG3系列单项进线电抗器

在p-n结势垒区中总是或多或少地存在一些复合中心(由的杂质、缺陷所造成)。在正向电压下,即有大量载流子通过势垒区,则这些复合中心就将要复合载流子而产生额外的所谓复合电流;于是,在总的正向电流中就需要加上这部分复合电流。不过,对于Si-,复合电流一般所占的比例较小,只有在小电流时,复合电流才显得突出而重要。(BJT在小电流时的电流放大系数较低,其主要原因就是发射结复合电流的影响。在反向电压下,势垒区中   加缺乏载流子,则势垒区中的复合中心将要产生出额外的载流子和相应的反向电流。因此,总的反向电流就包含有扩散电流和产生电流两个成分。

电路对每个导电回路进行控制,与单相桥式半控整流电路相比,不会失控现象,负载形式多样,整流效果好,波形平稳,应用广泛。正负两个半周电流方向相反且波形对称,平均值为零,即直流分量为零,不存在变压器直流磁化问题,变压器的利用率也高。

单项进线电抗器具有输出电流脉动小,功率因数高,变压器二次电流为两个等大反向的半波,没有直流磁化问题,变压器的优点。

单项进线其输出平均电压是半波整流电路2倍,在相同的负载下流过晶闸管的平均电流减小一半,且功率因数提高了一半。

正偏

加正向电压(正偏)——电源正极接P区,负极接N区

外电场的方向与内电场方向相反。

外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流(与外电场方向一致)IF

反偏

加反向电压(反偏)——电源正极接N区,负极接P区

外电场的方向与内电场方向相同。

外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动>>扩散运动→少子漂移形成反向电流IR

 



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